锦州七七七微电子有限责任公司 main business:半导体器件、电子元件及设备、零件制造；技术转让服务、技术咨询服务、电路设计及测试服务；设备租赁服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 210700004075403
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2003-04-23
- 王文斌
- 2000万人民币
- 2003-04-23 至 永久
- 锦州市工商行政管理局
- 锦州市古塔区重庆路二段２号
- 半导体器件、电子元件及设备、零件制造；技术转让服务、技术咨询服务、电路设计及测试服务；设备租赁服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205845949U | 正弦信号驱动及闭环控制器 | 2016.12.28 | 一种既实现正弦信号驱动及闭环控制的功能，又节省组装空间且具有良好的散热能力和可靠性的正弦信号驱动及闭 |
| 2 | CN205844376U | 高精度I/F转换器 | 2016.12.28 | 一种可提高基准电阻精度和温度稳定性、有利于电路小型化的高精度I/F转换器，包括积分器电路、门坎电路、 |
| 3 | CN205846695U | 直流稳压电源过、欠压保护器 | 2016.12.28 | 一种直流稳压电源过、欠压保护器，适用GPC－H系列直流电源供应器及能提供固定5V电压输出的直流稳压电 |
| 4 | CN104894521B | 一种单个管芯背面金属化的方法 | 2017.03.29 | 一种单个管芯背面金属化的方法，将微晶玻璃基片划成微晶玻璃隔条，并粘接在作为衬底的薄膜微晶玻璃基片上， |
| 5 | CN205982538U | 窄带中频频率处理器混合电路的程控测试电路 | 2017.02.22 | 一种窄带中频频率处理器混合电路的程控测试电路，实现混合集成电路的自动测试，从而大大的提高生产效率，而 |
| 6 | CN205081714U | 厚膜混合集成无刷直流电机驱动电路 | 2016.03.09 | 一种可减小占用组装空间、在超高温、超低温、高湿度、强振动等条件下不易形变、结构稳固、降低故障发生率的 |
| 7 | CN205081117U | 三层立体陶瓷微功放电路 | 2016.03.09 | 一种结构简单、可缩小布板面积、增加功能、降低制造成本、减弱元件受到的干扰程度的三层立体陶瓷微功放电路 |
| 8 | CN205070866U | 光纤控制型有刷电机驱动电路模块 | 2016.03.02 | 一种可缩小产品体积，加快散热速度，将控制信号与驱动模块之间物理隔离，大大减轻对控制信号干扰的光纤控制 |
| 9 | CN105023830A | 金属圆壳封装单片集成电路生产过程中的等离子清洗方法 | 2015.11.04 | 一种金属圆壳封装单片集成电路生产过程中的等离子清洗方法，利用绝缘架承载金属圆壳封装单片集成电路，所述 |
| 10 | CN204638628U | 单片机控制小型助焊剂清洗机 | 2015.09.16 | 一种可减小工人劳动强度、提高生产率、清洗质量高的单片机控制小型助焊剂清洗机，包括底板，其特殊之处在于 |
| 11 | CN204638611U | 单片机控制小型氧化层清洗机 | 2015.09.16 | 一种可减小工人劳动强度、提高生产效率、清洗质量高的单片机控制小型氧化层清洗机，包括机板，在所述机板底 |
| 12 | CN104894521A | 一种单个管芯背面金属化的方法 | 2015.09.09 | 一种单个管芯背面金属化的方法，将微晶玻璃基片划成微晶玻璃隔条，并粘接在作为衬底的薄膜微晶玻璃基片上， |
| 13 | CN101740402B | 大功率半导体器件管座压焊区去金工艺 | 2011.12.21 | 一种可解决金-铝系统问题、消除可靠性隐患的大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，对欲处理管座进行区域选 |
| 14 | CN101740383B | 集成化PNP差分对管的制作方法 | 2011.07.20 | 一种集成化PNP差分对管的制作方法，选择单面抛光P+硅衬底，其电阻率为0.001～0.008欧姆-厘 |
| 15 | CN201601656U | 单片功率运算放大器 | 2010.10.06 | 一种单片功率运算放大器，包括金属管壳和单片运算放大器芯片，其特殊之处是：所述的金属管壳为菱形功率管壳 |
| 16 | CN201584416U | 高压大功率运算放大器 | 2010.09.15 | 一种高压大功率运算放大器，包括管壳，陶瓷基片，运算放大器芯片，构成扩流电路的大功率晶体管、电阻和电容 |
| 17 | CN201577065U | 低失调、低噪声功率运算放大器 | 2010.09.08 | 一种低失调、低噪声功率运算放大器，包括管座、管壳，其特殊之处是：在管座上粘接有微晶玻璃基片，所述的基 |
| 18 | CN201577069U | 低功耗运算放大器 | 2010.09.08 | 一种低功耗运算放大器，解决了以下问题：输入级晶体管eb结静电击穿，使晶体管放大倍数显著下降，使输入基 |
| 19 | CN201576682U | 高压大功率运算放大器 | 2010.09.08 | 一种高压大功率运算放大器，包括管壳，其特征是：在管壳上通过粘结膜粘接有陶瓷基片，在陶瓷基片上印制有金 |
| 20 | CN201556109U | 三端固定正输出集成稳压器 | 2010.08.18 | 一种三端固定正输出集成稳压器，由金属管壳和管芯构成，其特殊之处是：所述的金属管壳为菱形，管芯通过铅锡 |
| 21 | CN101740402A | 大功率半导体器件管座压焊区去金工艺 | 2010.06.16 | 一种可解决金-铝系统问题、消除可靠性隐患的大功率半导体器件管座压焊区去金工艺，对欲处理管座进行区域选 |
| 22 | CN101740383A | 集成化PNP差分对管的制作方法 | 2010.06.16 | 一种集成化PNP差分对管的制作方法，选择单面抛光P+硅衬底，其电阻率为0.001～0.008欧姆-厘 |
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